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FDG6321C

FDG6321C

僅供參考

型號 FDG6321C
PNEDA編號 FDG6321C
描述 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6321C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6321C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6321C, FDG6321C數據表 (總頁數: 10, 大小: 291.72 KB)
PDFFDG6321C數據表 封面
FDG6321C數據表 頁面 2 FDG6321C數據表 頁面 3 FDG6321C數據表 頁面 4 FDG6321C數據表 頁面 5 FDG6321C數據表 頁面 6 FDG6321C數據表 頁面 7 FDG6321C數據表 頁面 8 FDG6321C數據表 頁面 9 FDG6321C數據表 頁面 10

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FDG6321C規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA, 410mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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SI4501ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel, Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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