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SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4974DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4974DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4974DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4974DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4974DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 4.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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