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2SD1802T-E

2SD1802T-E

僅供參考

型號 2SD1802T-E
PNEDA編號 2SD1802T-E
描述 TRANS NPN 50V 5A TP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1802T-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1802T-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1802T-E, 2SD1802T-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 271.3 KB)
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2SD1802T-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic0.5mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝TP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 50mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1A, 1.5V

功率-最大

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頻率-過渡

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