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JANTX2N3762

JANTX2N3762

僅供參考

型號 JANTX2N3762
PNEDA編號 JANTX2N3762
描述 TRANS PNP 40V 1.5A TO-39
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $2,585.5231
50 ---------- $2,464.3267
100 ---------- $2,343.1303
200 ---------- $2,221.9339
400 ---------- $2,120.9369
500 ---------- $2,019.9399
庫存 121
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3762資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3762
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3762規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/396
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic900mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 1A, 1.5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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PNP

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200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

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2.6A

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.1W

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工作溫度

150°C (TJ)

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 900mA, 4.5V

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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