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SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1308EDL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1308EDL-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
制造商 Vishay Siliconix
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倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1308EDL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1308EDL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1308EDL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs132mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.1nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds105pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)400mW (Ta), 500mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

205mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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