NAND01GR3B2CZA6E數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 25ns 訪問時間 25ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-VFBGA (9.5x12) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 25ns 訪問時間 25ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 供應商設備包裝 48-TSOP |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 30ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-VFBGA (9x11) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 30ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-VFBGA (9x11) |
制造商 STMicroelectronics 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 30ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 供應商設備包裝 48-TSOP |
制造商 STMicroelectronics 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 30ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-VFBGA (9x11) |
制造商 STMicroelectronics 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND 內存大小 1Gb (128M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 30ns 訪問時間 30ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 供應商設備包裝 48-TSOP |
