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NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

僅供參考

型號 NAND01GW3B2AN6E
PNEDA編號 NAND01GW3B2AN6E
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 3 - 七月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND01GW3B2AN6E資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND01GW3B2AN6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND01GW3B2AN6E, NAND01GW3B2AN6E數據表 (總頁數: 60, 大小: 1,335.5 KB)
PDFNAND01GR3B2CZA6E數據表 封面
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NAND01GW3B2AN6E規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁30ns
訪問時間30ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

32-PLCC (11.43x13.97)

AS6C4008-55TINTR

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

CY7C25442KV18-333BZI

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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