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NAND01GW3B2CN6E

NAND01GW3B2CN6E

僅供參考

型號 NAND01GW3B2CN6E
PNEDA編號 NAND01GW3B2CN6E
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 61,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND01GW3B2CN6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND01GW3B2CN6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND01GW3B2CN6E, NAND01GW3B2CN6E數據表 (總頁數: 60, 大小: 1,335.5 KB)
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NAND01GW3B2CN6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

28-CDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

600ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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