晶體管

BC847PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847PNE6433BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847PNH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847PNH6727XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847PNQ-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP Complementary
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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BC847PNQ-7R-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP Complementary
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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BC847PN-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-陣列

0.2APNPANDNPNSMALLSIGNALTRANSIST

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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BC847QAPNZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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BC847QASX

NXP

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP Complementary
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 230mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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BC847QASZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010B-6

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BC847RAPNZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列

BC847RAPN/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 480mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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BC847RAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-陣列

BC847RA/SOT1268/DFN1412-6

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 480mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1412-6

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BC847S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.2A SC70-6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88 (SC-70-6)

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BC847SE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847SE6433BTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847SH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

加入購物車更新到購物車

BC847SH6359XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

加入購物車更新到購物車

BC847SH6433XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

加入購物車更新到購物車

BC847SH6727XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: P-SOT363-6

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BC847SH6730XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANSISTOR NPN DUAL SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC847SH6827XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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BC848CDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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BC848CDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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BC848CDXV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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BC848CDXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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BC848CPDW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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BC848CPDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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BC856AS-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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BC856ASQ-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SOT-363

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