晶體管

PZTA42-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIERSOT-22

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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PZTA42/ZLX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PZTA44,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.3A SOT223

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 1.35W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PZTA44-G

Comchip Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANISTOR 200MA 400V SOT-223

• 制造商: Comchip Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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PZTA44-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIERSOT-22

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 125°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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PZTA44/ZLX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 1.35W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PZTA56

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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PZTA64

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 125MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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PZTA92

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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PZTA92,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.1A SOT223

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PZTA92E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: PG-SOT223-4

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PZTA92T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.05A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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PZTA92T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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PZTA92/ZLX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PZTA96ST1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 450V 0.5A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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QSL11TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 1A TSMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
• 供應商設備包裝: TSMT5

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QSL12TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1A TSMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 320MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
• 供應商設備包裝: TSMT5

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QSL9TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 1.5A TSMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
• 供應商設備包裝: TSMT5

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QST2TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 6A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 60mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QST3TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 5A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QST4TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 3A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QST5TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 2A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QST6TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 2A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QST7TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 1.5A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QSX1TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 6A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 60mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QSX2TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 5A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 40mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QSX3TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 5A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QSX4TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 2A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 280MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QSX5TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 2A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 360MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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QSX6TR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 1.5A TSMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)

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