晶體管

NZT7053

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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NZT749

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 4A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 75MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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NZT751

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 4A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 75MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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NZT753

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 4A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 75MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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NZT902

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 90V 3A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 75MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223-4

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P2N2222A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2222AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2222ARL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2222ARL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2222AZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2222AZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2907A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2907AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2907ARL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2907ARL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2907AZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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P2N2907AZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PBHV2160ZX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS NPN 600V 0.1A SC73

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 650mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PBHV3160ZX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS PNP 600V 0.1A SC73

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 6mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 650mW
• 頻率-過渡: 38MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PBHV8115T,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBHV8115TLHR

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

PBHV8115TLH/SOT23/TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 60mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBHV8115X,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 1A SOT89

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 50mV @ 20mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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PBHV8115Z,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 1A SOT223

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 1.4W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PBHV8118T,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 180V 1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 50mV @ 20mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBHV8140Z,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A SOT223

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 500mA, 10V
• 功率-最大: 1.45W
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PBHV8215Z,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 2A SOT223

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 280mV @ 400mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 10V
• 功率-最大: 1.45W
• 頻率-過渡: 33MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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PBHV8515QAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 0.5A SOT1215

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 60mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 200mA, 10V
• 功率-最大: 325mW
• 頻率-過渡: 75MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3

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PBHV8540T,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.5A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 60mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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PBHV8540X,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.5A SOT89

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 60mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 520mW
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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PBHV8540Z,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.5A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 60mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 10V
• 功率-最大: 1.4W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SC-73

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