晶體管

NSCT817-40LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 225mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSCT817-40LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 225mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSL12AWT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 20mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
• 功率-最大: 450mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSL12AWT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 2A SC-88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 20mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
• 功率-最大: 450mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSM3005NZTAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 6-UDFN (1.6x1.6)

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NSM6056MT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SC74

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Zener Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 1V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SC-74

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NSM80100MT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A SC-74-6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 270mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SC-74

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NSM80101MT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 0.5A SC74-6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SC-74

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NSS12100M3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 1A SOT-723

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 410mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: SOT-723

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NSS12100UW3TCG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 1A WDFN3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 440mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 740mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 3-WDFN (2x2)

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NSS12100XV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 1A SOT-563

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 440mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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NSS12200LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 460mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSS12200WT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 2A SC-88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 290mV @ 20mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
• 功率-最大: 450mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSS12201LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 90mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 460mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSS12500UW3T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 5A 3-WDFN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 260mV @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 875mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 3-WDFN (2x2)

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NSS12501UW3T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 875mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 3-WDFN (2x2)

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NSS12600CF8T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 12V 5A CHIPFET

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 170mV @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 830mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: ChipFET™

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NSS12601CF8T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 830mW
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: ChipFET™

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NSS1C200LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 490mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSS1C200MZ4T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 2A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NSS1C200MZ4T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 2A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

加入購物車更新到購物車

NSS1C201LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 490mW
• 頻率-過渡: 110MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSS1C201MZ4T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NSS1C201MZ4T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NSS1C300ET4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 3A 3DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2.1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NSS1C301ET4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 3A 3DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2.1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NSS20101JT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 1A SC-89

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 350MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SC-89-3

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NSS20200DMTTBG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 2A 6WDFN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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NSS20200LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 180mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 460mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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NSS20200W6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 2A SC-88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 215mV @ 20mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 555mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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