晶體管

型號	描述	庫存
APTGT75H60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,186
APTGT75H60T2G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存2,628
APTGT75H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,004
APTGT75SK120D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 110A 357W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 4mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5345nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存7,992
APTGT75SK120T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 110A 357W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存7,254
APTGT75SK120TG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1200V 110A 357W SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A 功率-最大: 357W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,046
APTGT75SK170D1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 1700V 120A 520W D1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大: 520W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D1 供應商設備包裝: D1	庫存7,398
APTGT75SK60T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT 600V 100A 250W SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,484
APTGT75TA120PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Phase 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 350W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存4,284
APTGT75TA60PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Phase 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存4,860
APTGT75TDU120PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Triple, Dual - Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 350W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,610
APTGT75TDU60PG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Triple, Dual - Common Source 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,022
APTGT75TL60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,208
APTGT75X60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,650
APTGTQ100A65T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP1	庫存6,840
APTGTQ100DA65T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP1	庫存6,786
APTGTQ100DDA65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存4,122
APTGTQ100H65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存2,466
APTGTQ100SK65T1G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 功率-最大: 250W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP1	庫存8,010
APTGTQ150TA65TPG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 365W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值）: 150µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,650
APTGTQ200A65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 483W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 12nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存4,950
APTGTQ200DA65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 483W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 12nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存8,100
APTGTQ200SK65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Buck Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 功率-最大: 483W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A 當前-集電極截止（最大值）: 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 12nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存6,858
APTGTQ50TA65T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 POWER MODULE - IGBT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: - 配置: Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 125W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值）: 50µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 3nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3F	庫存4,770
APTGV100H60BTPG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 340W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,250
APTGV100H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大: 340W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,786
APTGV15H120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A 功率-最大: 115W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,816
APTGV25H120BG Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Boost Chopper, Full Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 功率-最大: 156W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: No 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,614
APTGV25H120T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 功率-最大: 156W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,704
APTGV30H60T3G Microsemi	晶體管-IGBT-模塊 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - IGBT類型: NPT, Trench Field Stop 配置: Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大: 90W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A 當前-集電極截止（最大值）: 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V 輸入: Standard NTC熱敏電阻: Yes 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,946

APTGT75H60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,186

APTGT75H60T2G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存2,628

APTGT75H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,004

APTGT75SK120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 110A 357W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 4mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5345nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存7,992

APTGT75SK120T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 110A 357W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存7,254

APTGT75SK120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 110A 357W SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
功率-最大: 357W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,046

APTGT75SK170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 120A 520W D1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
功率-最大: 520W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 5mA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.5nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D1
供應商設備包裝: D1

庫存7,398

APTGT75SK60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 100A 250W SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Single
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,484

APTGT75TA120PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Phase
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 350W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存4,284

APTGT75TA60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Phase
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存4,860

APTGT75TDU120PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Triple, Dual - Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 350W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 5.34nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,610

APTGT75TDU60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Triple, Dual - Common Source
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,022

APTGT75TL60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Level Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,208

APTGT75X60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 4.62nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,650

APTGTQ100A65T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP1

庫存6,840

APTGTQ100DA65T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP1

庫存6,786

APTGTQ100DDA65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Dual Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存4,122

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存2,466

APTGTQ100SK65T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
功率-最大: 250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP1

庫存8,010

APTGTQ150TA65TPG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 365W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 150A
當前-集電極截止（最大值）: 150µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,650

APTGTQ200A65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 483W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 12nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存4,950

APTGTQ200DA65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Boost Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 483W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 12nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存8,100

APTGTQ200SK65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Buck Chopper
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
功率-最大: 483W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止（最大值）: 200µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 12nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存6,858

APTGTQ50TA65T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MODULE - IGBT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: -
配置: Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 125W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A
當前-集電極截止（最大值）: 50µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 3nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3F

庫存4,770

APTGV100H60BTPG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 340W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,250

APTGV100H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
功率-最大: 340W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,786

APTGV15H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
功率-最大: 115W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.1nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,816

APTGV25H120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
功率-最大: 156W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: No
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,614

APTGV25H120T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
功率-最大: 156W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.8nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,704

APTGV30H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
配置: Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
功率-最大: 90W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
當前-集電極截止（最大值）: 250µA
輸入電容（Cies）@ Vce: 1.6nF @ 25V
輸入: Standard
NTC熱敏電阻: Yes
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,946

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