晶體管

型號	描述	庫存
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2320pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存48,144
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 80V 34A SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 61W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,322
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 61W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存79,320
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 20A 8SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 24W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存27,234
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 960mW (Ta), 170W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存89,892
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 170W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存39,402
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存51,564
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7540pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 132W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,768
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 19W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,934
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存87,162
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 39W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,616
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,168
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 30W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,046
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存38,214
TPN1R603PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,788
TPN2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 39W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,844
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 18W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,340
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,006
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 0.3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 630mW (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,322
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 35W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,646
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,248
TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.2nF @ 22.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.67W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,816
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 27W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存29,418
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 27W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存46,746
TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 0.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 630mW (Ta), 86W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存130,638
TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 22W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,204
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 34W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存219,186
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存39,870
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 39W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,352
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 32W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,176

TPH7R506NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2320pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存48,144

TPH8R008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 80V 34A SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3000pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 61W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,322

TPH8R80ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 61W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存79,320

TPH8R903NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 24W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存27,234

TPHR6503PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960mW (Ta), 170W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存89,892

TPHR8504PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 170W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存39,402

TPHR9003NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存51,564

TPHR9203PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7540pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 132W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,768

TPN11003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 19W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,934

TPN11006NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存87,162

TPN1110ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 39W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,616

TPN13008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,168

TPN14006NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 30W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,046

TPN1600ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存38,214

TPN1R603PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,788

TPN2010FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 39W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,844

TPN22006NH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 18W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,340

TPN2R203NC,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,006

TPN2R304PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 0.3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 630mW (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,322

TPN2R503NC,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2230pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 35W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,646

TPN2R703NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,248

TPN2R805PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.2nF @ 22.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.67W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,816

TPN30008NH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 27W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存29,418

TPN3300ANH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 27W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存46,746

TPN3R704PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 0.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 630mW (Ta), 86W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存130,638

TPN4R203NC,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 22W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,204

TPN4R303NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 34W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存219,186

TPN4R712MD,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存39,870

TPN5900CNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 39W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,352

TPN6R003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 32W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,176

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