晶體管

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 27W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ15P04M3,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 29W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ15S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 41W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ20S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 41W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 68W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4140pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 68W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6290pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 90W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6510pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 90W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7760pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 158nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7770pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: +10V, -20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 27W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK040N65Z,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.85mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6250pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360W (Tc)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247
• 包裝/箱: TO-247-3

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TK100A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK100A08N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK100A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK100E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 100A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 255W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK100E08N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9000pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 255W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK100E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8800pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 255W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK100L60W,VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 5mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15000pF @ 30V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 797W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3P(L)
• 包裝/箱: TO-3PL

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TK100S04N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5490pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK10A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A60E,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A60W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 450µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK10E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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