晶體管

型號	描述	庫存
STS4DNFS30L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,924
STS4DPFS30L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,868
STS4NF100 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,492
STS5N15F3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存39,702
STS5N15F4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 5A 8SO 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,394
STS5NF60L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存47,742
STS5P3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ H6 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 639pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,588
STS5PF20V STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 2.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 412pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,248
STS5PF30L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,322
STS6NF20V STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.95V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存25,482
STS6P3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,526
STS6PF30L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,604
STS7N3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,600
STS7NF60L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,542
STS7P4LLF6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ F6 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,880
STS7PF30L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,964
STS8N6LF6AG STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存25,950
STS9NF30L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,754
STS9NF3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存73,344
STS9NH3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 857pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,652
STS9P2UH7 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,244
STS9P3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET PCH 30V 9A SO8 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ H6 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,040
STSJ100NH3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC-EP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	庫存5,076
STSJ100NHS3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 70W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC-EP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	庫存8,370
STSJ25NF3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 70W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	庫存5,274
STSJ50NH3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 965pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	庫存3,436
STSJ60NH3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC-EP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	庫存22,890
STT2PF60L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 313pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-6 包裝/箱: SOT-23-6	庫存7,992
STT3P2UH7 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-6 包裝/箱: SOT-23-6	庫存8,082
STT3PF20V STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-6 包裝/箱: SOT-23-6	庫存6,642

STS4DNFS30L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,924

STS4DPFS30L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,868

STS4NF100

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,492

STS5N15F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存39,702

STS5N15F4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 5A 8SO

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,394

STS5NF60L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存47,742

STS5P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ H6
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 639pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,588

STS5PF20V

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 450mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 2.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 412pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,248

STS5PF30L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,322

STS6NF20V

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.95V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存25,482

STS6P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,526

STS6PF30L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,604

STS7N3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,600

STS7NF60L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,542

STS7P4LLF6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ F6
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,880

STS7PF30L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,964

STS8N6LF6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存25,950

STS9NF30L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,754

STS9NF3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存73,344

STS9NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 857pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,652

STS9P2UH7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,244

STS9P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET PCH 30V 9A SO8

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ H6
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,040

STSJ100NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC-EP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

庫存5,076

STSJ100NHS3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 70W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC-EP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

庫存8,370

STSJ25NF3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 70W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

庫存5,274

STSJ50NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 965pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

庫存3,436

STSJ60NH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC-EP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

庫存22,890

STT2PF60L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 313pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-6
包裝/箱: SOT-23-6

庫存7,992

STT3P2UH7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-6
包裝/箱: SOT-23-6

庫存8,082

STT3PF20V

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-6
包裝/箱: SOT-23-6

庫存6,642

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