晶體管

型號	描述	庫存
STP150N10F7 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8115pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,984
STP150N3LLH6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 80A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,730
STP150NF04 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存20,760
STP150NF55 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存33,726
STP15N60M2-EP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2-EP FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,652
STP15N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 650V 11A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存21,708
STP15N80K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 800V 14A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH5™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存12,282
STP15N95K5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 950V 12A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH5™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,076
STP15NK50Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 14A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 106nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 160W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存21,924
STP15NK50ZFP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 106nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存16,614
STP15NM60N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,096
STP15NM60ND STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: FDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,038
STP15NM65N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 983pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,636
STP160N3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ H6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,768
STP160N4LF6 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 181nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,210
STP160N75F3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 330W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,794
STP165N10F4 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: DeepGATE™, STripFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 315W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,284
STP16N50M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,804
STP16N60M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,670
STP16N65M2 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ M2 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 718pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存22,644
STP16N65M5 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ V FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存13,656
STP16NF06 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存23,466
STP16NF06FP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,122
STP16NF06L STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 16A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存65,436
STP16NF25 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 13A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,968
STP16NK60Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,168
STP16NK65Z STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 13A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: SuperMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2750pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,280
STP16NM50N STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,830
STP16NS25 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: MESH OVERLAY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 140W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,550
STP16NS25FP STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 16A TO-220FP 制造商: STMicroelectronics 系列: MESH OVERLAY™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FP 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,184

STP150N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 110A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 110A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8115pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,984

STP150N3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,730

STP150NF04

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存20,760

STP150NF55

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存33,726

STP15N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2-EP
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,652

STP15N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 650V 11A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存21,708

STP15N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 800V 14A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH5™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存12,282

STP15N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 12A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH5™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,076

STP15NK50Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 106nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 160W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存21,924

STP15NK50ZFP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 106nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存16,614

STP15NM60N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,096

STP15NM60ND

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: FDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,038

STP15NM65N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 983pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,636

STP160N3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ H6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,768

STP160N4LF6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 181nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8130pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,210

STP160N75F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 330W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,794

STP165N10F4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™, STripFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 315W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,284

STP16N50M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,804

STP16N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,670

STP16N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ M2
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 718pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存22,644

STP16N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ V
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存13,656

STP16NF06

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 16A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存23,466

STP16NF06FP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 315pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,122

STP16NF06L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 16A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V, 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存65,436

STP16NF25

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 13A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,968

STP16NK60Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,168

STP16NK65Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 13A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2750pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,280

STP16NM50N

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 15A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,830

STP16NS25

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 16A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: MESH OVERLAY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 140W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,550

STP16NS25FP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 16A TO-220FP

制造商: STMicroelectronics
系列: MESH OVERLAY™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FP
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,184

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