晶體管

STF42N60M2-EP

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ M2-EP
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.75V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF42N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 33A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4650pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF43N60DM2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 34A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ DM2
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF45N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 30A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs（最大）: 20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF45N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3375pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF4LN80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ K5
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 122pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF4N52K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 334pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF4N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF4N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF4N90K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ K5
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 173pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3

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STF4NK50ZD

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF57N65M5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N105K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 1050V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220 Full Pack
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N52K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 545pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N52U

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: UltraFASTmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II Plus
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 165pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N65M6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: *
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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STF5N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N95K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: 30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5NK100Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1154pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF5NK52ZD

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 520V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 529pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF60N55F3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 42A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ III
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF6N52K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 525V 5.0A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 525V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF6N60M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ II Plus
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 232pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF6N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 875pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF6N65K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 5.4A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF6N65M2

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 226pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 20W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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STF6N68K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 680V TO-220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220FP
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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