晶體管

STD24N06LT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±15V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD25N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD25NF10LA

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1710pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD25NF10LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1710pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD25NF10T4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD25NF20

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 110W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD25P03LT4G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±15V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD26NF10

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ II
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD26P3LLH6

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD27N3LH5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™ V
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 13.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±22V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD28P3LLH6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 12A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±18V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 33W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2HNK60Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2HNK60Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

STD2LN60K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 2A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2N105K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™ K5
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 1050V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2N62K3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH3™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 620V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2N80K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
• Vgs（最大）: 30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 95pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2N95K5

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 950V 2A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH5™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 950V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs（最大）: 30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 105pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2NC45-1

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

STD2NK100Z

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.85A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 499pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 70W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2NK60Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

STD2NK70Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 800mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

STD2NK70ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 800mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 485pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 70W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

加入購物車更新到購物車

STD2NK90ZT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: SuperMESH™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 50µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 485pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 70W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD2NM60T4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: MDmesh™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 46W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD30N10F7

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 30A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: 20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1270pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD30N6LF6AG

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 24A

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD30NE06L

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 55W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車

STD30NE06LT4

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: STripFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2370pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 55W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

加入購物車更新到購物車