晶體管

型號	描述	庫存
SQ4005EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,250
SQ4050EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2406pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,502
SQ4064EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2096pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,770
SQ4080EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,912
SQ4153EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,886
SQ4182EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,204
SQ4184EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 29A SO8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,182
SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 17.3A 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4250pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.14W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存23,994
SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2385pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,542
SQ4425EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存19,806
SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1265pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,120
SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存19,656
SQ4470EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3165pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存23,700
SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,562
SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,322
SQ4840EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 20.7A 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,308
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,232
SQ7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存7,326
SQ7414AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 62W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存2,844
SQ7414AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 18A POWERPAK1212 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 62W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,492
SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 62W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8W 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8W	庫存25,320
SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1385pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存3,060
SQ7415AENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1385pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8	庫存43,584
SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,356
SQA401EEJ-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 113mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 13.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6	庫存8,136
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 13.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6	庫存6,048
SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 30V 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1880pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 13.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6	庫存7,074
SQA405EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 40V 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1815pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 13.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6	庫存8,262
SQA410EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 485pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 13.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6	庫存4,410
SQA442EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 636pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 13.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single 包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6	庫存3,330

SQ4005EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,250

SQ4050EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2406pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,502

SQ4064EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2096pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,770

SQ4080EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,912

SQ4153EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,886

SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,204

SQ4184EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 29A SO8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5400pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,182

SQ4401EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 17.3A

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4250pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.14W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存23,994

SQ4410EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2385pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,542

SQ4425EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存19,806

SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1265pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,120

SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2170pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存19,656

SQ4470EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3165pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存23,700

SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,562

SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,322

SQ4840EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 20.7A

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2440pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,308

SQ4850EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,232

SQ7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 320mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存7,326

SQ7414AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 980pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存2,844

SQ7414AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 18A POWERPAK1212

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,492

SQ7414CENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1590pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8W
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8W

庫存25,320

SQ7415AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1385pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存3,060

SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1385pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

庫存43,584

SQ9407EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,356

SQA401EEJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 113mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 375pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6

庫存8,136

SQA401EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6

庫存6,048

SQA403EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 30V

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1880pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6

庫存7,074

SQA405EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 40V

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1815pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6

庫存8,262

SQA410EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 485pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6

庫存4,410

SQA442EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

制造商: Vishay Siliconix
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 636pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 13.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱: PowerPAK® SC-70-6

庫存3,330

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message