晶體管

型號	描述	庫存
IXFR34N80 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存5,256
IXFR36N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存8,982
IXFR36N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存4,266
IXFR38N80Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8340pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 416W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存7,722
IXFR40N50Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 320W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存3,690
IXFR40N90P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarP2™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存8,712
IXFR44N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5440pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 208W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存4,788
IXFR44N50Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存4,392
IXFR44N50Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 154mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,336
IXFR44N60 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存7,848
IXFR44N80P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存8,946
IXFR48N50Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存2,214
IXFR48N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8860pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存3,042
IXFR48N60Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 154mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: TO-247-3	庫存5,382
IXFR4N100Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 80W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存6,894
IXFR50N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存3,526
IXFR52N30Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存2,988
IXFR55N50 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 400W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存2,556
IXFR58N20 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存3,060
IXFR64N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存5,796
IXFR64N50Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,298
IXFR64N60P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 320W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存5,958
IXFR64N60Q3 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9930pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 568W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,102
IXFR66N50Q2 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9125pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 500W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存6,894
IXFR70N15 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存4,392
IXFR75N10Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存3,852
IXFR80N10Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 76A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存6,714
IXFR80N15Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存6,390
IXFR80N20Q IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 71A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 310W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存3,870
IXFR80N50P IXYS	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 360W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: ISOPLUS247™ 包裝/箱: ISOPLUS247™	庫存5,994

IXFR34N80

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存5,256

IXFR36N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存8,982

IXFR36N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存4,266

IXFR38N80Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8340pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 416W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存7,722

IXFR40N50Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 320W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存3,690

IXFR40N90P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarP2™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存8,712

IXFR44N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5440pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 208W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存4,788

IXFR44N50Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存4,392

IXFR44N50Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 154mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,336

IXFR44N60

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存7,848

IXFR44N80P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存8,946

IXFR48N50Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存2,214

IXFR48N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8860pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存3,042

IXFR48N60Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 154mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7020pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: TO-247-3

庫存5,382

IXFR4N100Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 80W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存6,894

IXFR50N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存3,526

IXFR52N30Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存2,988

IXFR55N50

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 400W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存2,556

IXFR58N20

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存3,060

IXFR64N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存5,796

IXFR64N50Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,298

IXFR64N60P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 320W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存5,958

IXFR64N60Q3

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 6.5V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9930pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 568W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,102

IXFR66N50Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9125pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存6,894

IXFR70N15

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存4,392

IXFR75N10Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存3,852

IXFR80N10Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 76A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存6,714

IXFR80N15Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存6,390

IXFR80N20Q

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 71A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 310W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存3,870

IXFR80N50P

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™, PolarHT™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: ISOPLUS247™
包裝/箱: ISOPLUS247™

庫存5,994

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