晶體管

型號	描述	庫存
IPD50P04P413ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3670pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存101,358
IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 85µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 58W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3-313 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存97,848
IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,518
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,128
IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 119W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,958
IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 119W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,154
IPD50R280CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 92W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,236
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,560
IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,670
IPD50R380CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 98W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,160
IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 98W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,070
IPD50R380CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 73W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,928
IPD50R399CP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,598
IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,784
IPD50R399CPBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,712
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,454
IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 18W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,380
IPD50R500CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,896
IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存57,186
IPD50R500CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 57W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,940
IPD50R520CP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,544
IPD50R520CPATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,938
IPD50R520CPBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,722
IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,298
IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,750
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 47W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,996
IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 500V 5A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,790
IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,618
IPD50R800CEBTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 500V 5A TO252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,528
IPD50R950CEATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,492

IPD50P04P413ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3670pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存101,358

IPD50P04P4L11ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 85µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 58W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3-313
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存97,848

IPD50R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,518

IPD50R1K4CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 178pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,128

IPD50R280CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 119W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,958

IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 119W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,154

IPD50R280CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 773pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 92W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,236

IPD50R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 124pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,560

IPD50R2K0CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,670

IPD50R380CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 98W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,160

IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 500V 14.1A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 98W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,070

IPD50R380CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 260µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 584pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 73W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,928

IPD50R399CP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 9A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 330µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,598

IPD50R399CPATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,784

IPD50R399CPBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,712

IPD50R3K0CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,454

IPD50R3K0CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 84pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 18W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,380

IPD50R500CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,896

IPD50R500CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存57,186

IPD50R500CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 433pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 57W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,940

IPD50R520CP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,544

IPD50R520CPATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,938

IPD50R520CPBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,722

IPD50R650CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,298

IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,750

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 342pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 47W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,996

IPD50R800CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 500V 5A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,790

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,618

IPD50R800CEBTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 500V 5A TO252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,528

IPD50R950CEATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 13V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 231pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,492

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