晶體管

型號	描述	庫存
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IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 17µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存51,726
IPC70N04S5L4R2ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 17µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,950
IPC80N04S403ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5720pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-23 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,430
IPC90N04S53R6ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 23µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,960
IPC90N04S5L3R3ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 23µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2145pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 62W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,230
IPC90R120C3X1SA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH BARE DIE 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,022

IPC60R190E6X7SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,354

IPC60R190P6X7SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,930

IPC60R199CPX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,118

IPC60R280E6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,806

IPC60R280E6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,646

IPC60R280E6X7SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,650

IPC60R299CPX1SA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,802

IPC60R2K0C6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,754

IPC60R380C6X7SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,442

IPC60R380E6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
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安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,654

IPC60R380E6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
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安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,754

IPC60R380E6X7SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
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供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,924

IPC60R385CPX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
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包裝/箱: -

庫存5,526

IPC60R3K3C6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
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庫存3,114

IPC60R520E6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,024

IPC60R520E6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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Vgs（th）（最大）@ ID: -
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供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,366

IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,668

IPC60R600E6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
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功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,016

IPC60R950C6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
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門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
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FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,642

IPC60R950C6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
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FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,178

IPC65R037C6X1SA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,518

IPC65R041CFDX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
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Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,434

IPC65R070C6X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
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Vgs（最大）: -
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FET功能: -
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工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,500

IPC65R080CFDX1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,862

IPC70N04S54R6ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 17µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存51,726

IPC70N04S5L4R2ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 17µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,950

IPC80N04S403ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5720pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-23
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,430

IPC90N04S53R6ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 23µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1950pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,960

IPC90N04S5L3R3ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 23µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2145pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 62W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-34
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,230

IPC90R120C3X1SA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH BARE DIE

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,022

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