晶體管

型號	描述	庫存
FQPF8N90C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,232
FQPF8P10 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 2.65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,788
FQPF90N10V2 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 191nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6150pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,128
FQPF9N08 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 23W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存6,876
FQPF9N08L ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 23W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,654
FQPF9N15 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,716
FQPF9N25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,730
FQPF9N25C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存17,292
FQPF9N25CT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,272
FQPF9N25CYDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存7,794
FQPF9N30 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,622
FQPF9N50 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,006
FQPF9N50C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,096
FQPF9N50CF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: FRFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存14,808
FQPF9N50CT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存2,898
FQPF9N50CYDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存6,966
FQPF9N50T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存7,866
FQPF9N50YDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存6,552
FQPF9N90C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存3,456
FQPF9N90CT ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存12,276
FQPF9P25 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存18,588
FQPF9P25-T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH TO-220 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,588
FQPF9P25YDTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 6A 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	庫存2,736
FQS4410TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,292
FQT13N06LTF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存94,188
FQT13N06TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,156
FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存233,820
FQT1N80TF-WS ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-3 包裝/箱: TO-261-3	庫存8,910
FQT2P25TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 275mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,928
FQT3P20TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 670mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7Ohm @ 335mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223-4 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存293,802

FQPF8N90C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,232

FQPF8P10

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,788

FQPF90N10V2

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 191nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6150pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,128

FQPF9N08

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 23W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存6,876

FQPF9N08L

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 23W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,654

FQPF9N15

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 3.45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,716

FQPF9N25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,730

FQPF9N25C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存17,292

FQPF9N25CT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,272

FQPF9N25CYDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存7,794

FQPF9N30

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,622

FQPF9N50

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,006

FQPF9N50C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,096

FQPF9N50CF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: FRFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存14,808

FQPF9N50CT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存2,898

FQPF9N50CYDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存6,966

FQPF9N50T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存7,866

FQPF9N50YDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存6,552

FQPF9N90C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存3,456

FQPF9N90CT

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存12,276

FQPF9P25

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存18,588

FQPF9P25-T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH TO-220

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,588

FQPF9P25YDTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 6A

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F-3 (Y-Forming)
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

庫存2,736

FQS4410TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,292

FQT13N06LTF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存94,188

FQT13N06TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,156

FQT1N60CTF-WS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存233,820

FQT1N80TF-WS

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-3
包裝/箱: TO-261-3

庫存8,910

FQT2P25TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 275mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,928

FQT3P20TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 670mA (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7Ohm @ 335mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223-4
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存293,802

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