晶體管

型號	描述	庫存
FQI11P06TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 53W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,672
FQI12N50TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 179W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,262
FQI12N60CTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 225W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,190
FQI12N60TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,004
FQI13N06LTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,712
FQI13N06TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,100
FQI13N50CTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2055pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,640
FQI15P12TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,300
FQI16N25CTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存6,750
FQI17N08LTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,136
FQI17N08TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 65W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,060
FQI17P06TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 79W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,266
FQI19N20CTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,866
FQI19N20TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,304
FQI1P50TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,428
FQI27N25TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,752
FQI27N25TU-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 417W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,464
FQI27P06TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,724
FQI2N30TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,032
FQI2N80TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,640
FQI2N90TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 85W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,076
FQI2NA90TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,436
FQI2P25TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,626
FQI32N12V2TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,202
FQI32N20CTU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存5,292
FQI34P10TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 155W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,208
FQI3N25TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,600
FQI3N30TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存4,932
FQI3N40TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,708
FQI3N80TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262) 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存2,088

FQI11P06TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 53W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,672

FQI12N50TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 179W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,262

FQI12N60CTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2290pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 225W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,190

FQI12N60TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,004

FQI13N06LTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,712

FQI13N06TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,100

FQI13N50CTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2055pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,640

FQI15P12TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,300

FQI16N25CTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存6,750

FQI17N08LTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,136

FQI17N08TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 65W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,060

FQI17P06TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,266

FQI19N20CTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1080pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,866

FQI19N20TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,304

FQI1P50TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,428

FQI27N25TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,752

FQI27N25TU-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 417W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,464

FQI27P06TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,724

FQI2N30TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,032

FQI2N80TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,640

FQI2N90TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 85W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,076

FQI2NA90TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,436

FQI2P25TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,626

FQI32N12V2TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,202

FQI32N20CTU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2220pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存5,292

FQI34P10TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.75W (Ta), 155W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,208

FQI3N25TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 170pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,600

FQI3N30TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存4,932

FQI3N40TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,708

FQI3N80TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.13W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存2,088

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