晶體管

型號	描述	庫存
EPC2029 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 12mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存33,138
EPC2030 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET NCH 40V 31A DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 16mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存76,464
EPC2030ENGRT EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET NCH 40V 31A DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 16mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存26,238
EPC2031 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET NCH 60V 31A DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 15mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存23,736
EPC2031ENGRT EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET NCH 60V 31A DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 15mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存28,920
EPC2032 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 11mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存2,448
EPC2033 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存32,334
EPC2034 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 140°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存4,770
EPC2034C EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS GAN 200V 8MOHM DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存27,228
EPC2035 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 800µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存49,314
EPC2036 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 600µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存3,286,026
EPC2037 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.12nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存614,934
EPC2038 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.044nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.4pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存1,148,130
EPC2039 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 80V BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存4,786
EPC2040 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET NCH 15V 3.4A DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.93nC @ 5V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 105pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存676,590
EPC2045 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 100V BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存330,630
EPC2045ENGRT EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 100V BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存4,392
EPC2049ENGRT EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 40V BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 15A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存14,964
EPC2051 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 258pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存42,354
EPC2051ENGRT EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存6,138
EPC2052 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS GAN 100V DIE 16MOHM 制造商: EPC 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存54,072
EPC2053 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS GAN 100V DIE 4MOHM 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1895pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存18,876
EPC2202 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 80V 18A DIE 制造商: EPC 系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 5V Vgs（最大）: +5.75V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 415pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die Outline (6-Solder Bar) 包裝/箱: Die	庫存373,800
EPC2203 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR 制造商: EPC 系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 600µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.83nC @ 5V Vgs（最大）: +5.75V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 88pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存56,460
EPC2206 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 80V 90A DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 13mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1940pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存48,888
EPC2212 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 407pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存26,022
EPC2214 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 AEC-Q101 GAN FET 80V 20 MOHM 制造商: EPC 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存56,268
EPC8002 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 65V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21pF @ 32.5V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存521,712
EPC8004 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 52pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存4,572
EPC8009 EPC	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商: EPC 系列: eGaN® FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 65V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs（最大）: +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 52pF @ 32.5V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Die 包裝/箱: Die	庫存3,960

EPC2029

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 12mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1410pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存33,138

EPC2030

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET NCH 40V 31A DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 16mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存76,464

EPC2030ENGRT

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET NCH 40V 31A DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 16mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存26,238

EPC2031

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET NCH 60V 31A DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 15mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存23,736

EPC2031ENGRT

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET NCH 60V 31A DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 15mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 300V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存28,920

EPC2032

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 11mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存2,448

EPC2033

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存32,334

EPC2034

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 140°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存4,770

EPC2034C

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS GAN 200V 8MOHM DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1140pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存27,228

EPC2035

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 800µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.15nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存49,314

EPC2036

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 600µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存3,286,026

EPC2037

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.12nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存614,934

EPC2038

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.044nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.4pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存1,148,130

EPC2039

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 80V BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存4,786

EPC2040

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET NCH 15V 3.4A DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.93nC @ 5V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 105pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存676,590

EPC2045

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存330,630

EPC2045ENGRT

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存4,392

EPC2049ENGRT

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 40V BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 15A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.6nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存14,964

EPC2051

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 258pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存42,354

EPC2051ENGRT

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存6,138

EPC2052

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS GAN 100V DIE 16MOHM

制造商: EPC
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存54,072

EPC2053

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS GAN 100V DIE 4MOHM

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1895pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存18,876

EPC2202

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 80V 18A DIE

制造商: EPC
系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 5V
Vgs（最大）: +5.75V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 415pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die Outline (6-Solder Bar)
包裝/箱: Die

庫存373,800

EPC2203

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

制造商: EPC
系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 600µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.83nC @ 5V
Vgs（最大）: +5.75V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 88pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存56,460

EPC2206

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 80V 90A DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 13mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1940pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存48,888

EPC2212

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 407pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存26,022

EPC2214

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

AEC-Q101 GAN FET 80V 20 MOHM

制造商: EPC
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存56,268

EPC8002

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 65V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21pF @ 32.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存521,712

EPC8004

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 52pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存4,572

EPC8009

EPC

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

制造商: EPC
系列: eGaN®
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 65V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45nC @ 5V
Vgs（最大）: +6V, -4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 52pF @ 32.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Die
包裝/箱: Die

庫存3,960

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