晶體管

型號	描述	庫存
DMTH41M8SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,796
DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,232
DMTH43M8LFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,456
DMTH43M8LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,068
DMTH43M8LFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,928
DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,804
DMTH43M8LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2693pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,430
DMTH43M8LK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2693pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 88W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,904
DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2693pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,898
DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.367nF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存19,830
DMTH6002LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6555pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 167W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,430
DMTH6004LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4515pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存40,344
DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4515pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,664
DMTH6004SCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 60V 100A TO220-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,442
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.7W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存37,404
DMTH6004SCTBQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A TO263 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.7W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-263AB 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,798
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,600
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 100A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 180W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-4L 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存46,836
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,364
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,590
DMTH6005LCT Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 100A TO220AB 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,914
DMTH6005LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET 60V 90A DPAK 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DPAK 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存25,866
DMTH6005LK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 90A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-4L 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	庫存25,710
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,426
DMTH6005LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 150W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,226
DMTH6006SPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,952
DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 14.2A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,974
DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A (Ta), 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,968
DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,970
DMTH6009LPSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,874

DMTH41M8SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,796

DMTH41M8SPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,232

DMTH43M8LFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,456

DMTH43M8LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,068

DMTH43M8LFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,928

DMTH43M8LFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,804

DMTH43M8LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2693pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,430

DMTH43M8LK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2693pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 88W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,904

DMTH43M8LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2693pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,898

DMTH43M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.367nF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存19,830

DMTH6002LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6555pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 167W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,430

DMTH6004LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4515pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存40,344

DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4515pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.6W (Ta), 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,664

DMTH6004SCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 60V 100A TO220-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,442

DMTH6004SCTB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.7W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存37,404

DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.7W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-263AB
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,798

DMTH6004SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,600

DMTH6004SK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 100A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 180W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-4L
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存46,836

DMTH6004SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,364

DMTH6004SPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4556pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,590

DMTH6005LCT

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,914

DMTH6005LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET 60V 90A DPAK

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DPAK
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存25,866

DMTH6005LK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 90A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-4L
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

庫存25,710

DMTH6005LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,426

DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2962pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,226

DMTH6006SPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,952

DMTH6009LK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 14.2A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,974

DMTH6009LK3Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,968

DMTH6009LPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,970

DMTH6009LPSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1925pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,874

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