內存IC

型號	描述	庫存
IS46DR81280C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存5,544
IS46DR81280C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存7,182
IS46DR81280C-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存3,564
IS46DR81280C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存4,716
IS46DR81280C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存2,340
IS46DR81280C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存4,086
IS46DR81280C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (128M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)	庫存3,294
IS46LD16640A-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存2,466
IS46LD16640A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存5,526
IS46LD32320A-25BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存6,030
IS46LD32320A-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存2,916
IS46LD32320A-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存7,956
IS46LD32320A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存2,286
IS46LD32320A-3BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存6,408
IS46LD32320A-3BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 134-TFBGA 供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)	庫存2,196
IS46LD32320A-3BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存6,210
IS46LD32320A-3BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存7,686
IS46LD32320A-3BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存6,732
IS46LD32320A-3BPLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存6,516
IS46LD32320A-3BPLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存5,040
IS46LD32320A-3BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 內存大小: 1Gb (32M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: - 電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 168-VFBGA 供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)	庫存5,184
IS46LR16320B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存3,006
IS46LR16320B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存7,938
IS46LR16320B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存8,154
IS46LR16320B-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存7,632
IS46LR16320C-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存8,604
IS46LR16320C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存6,948
IS46LR16320C-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存8,658
IS46LR16320C-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (32M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-TFBGA 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)	庫存4,032
IS46LR32160B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小: 512Mb (16M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 5.5ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 90-TFBGA 供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)	庫存4,698

IS46DR81280C-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存5,544

IS46DR81280C-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存7,182

IS46DR81280C-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存3,564

IS46DR81280C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存4,716

IS46DR81280C-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存2,340

IS46DR81280C-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存4,086

IS46DR81280C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (128M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TWBGA (8x10.5)

庫存3,294

IS46LD16640A-25BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存2,466

IS46LD16640A-25BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存5,526

IS46LD32320A-25BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存6,030

IS46LD32320A-25BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存2,916

IS46LD32320A-25BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存7,956

IS46LD32320A-25BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存2,286

IS46LD32320A-3BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存6,408

IS46LD32320A-3BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 134-TFBGA
供應商設備包裝: 134-TFBGA (10x11.5)

庫存2,196

IS46LD32320A-3BPLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-VFBGA
供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

庫存6,210

IS46LD32320A-3BPLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-VFBGA
供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

庫存7,686

IS46LD32320A-3BPLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-VFBGA
供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

庫存6,732

IS46LD32320A-3BPLA25

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-VFBGA
供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

庫存6,516

IS46LD32320A-3BPLA25-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-VFBGA
供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

庫存5,040

IS46LD32320A-3BPLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小: 1Gb (32M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: -
電壓-供電: 1.14V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 168-VFBGA
供應商設備包裝: 168-VFBGA (12x12)

庫存5,184

IS46LR16320B-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存3,006

IS46LR16320B-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存7,938

IS46LR16320B-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存8,154

IS46LR16320B-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存7,632

IS46LR16320C-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存8,604

IS46LR16320C-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存6,948

IS46LR16320C-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存8,658

IS46LR16320C-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (32M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-TFBGA
供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x10)

庫存4,032

IS46LR32160B-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小: 512Mb (16M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 5.5ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 90-TFBGA
供應商設備包裝: 90-TFBGA (8x13)

庫存4,698

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