內存IC

型號	描述	庫存
IDT71V67602S150BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存6,642
IDT71V67602S150BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存4,320
IDT71V67602S150BQI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存6,678
IDT71V67602S150BQI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存7,614
IDT71V67602S150PF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存8,514
IDT71V67602S150PF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存3,978
IDT71V67602S150PFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存7,848
IDT71V67602S150PFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存2,736
IDT71V67602S166BG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 119-BGA 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)	庫存5,868
IDT71V67602S166BG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 119-BGA 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)	庫存2,430
IDT71V67602S166BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存3,168
IDT71V67602S166BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存6,660
IDT71V67602S166BQG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存3,580
IDT71V67602S166BQG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存4,518
IDT71V67602S166BQGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存6,012
IDT71V67602S166BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存4,122
IDT71V67602S166BQI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存8,496
IDT71V67602S166BQI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存8,910
IDT71V67602S166PF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存8,838
IDT71V67602S166PF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存7,524
IDT71V67603S133PF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存8,190
IDT71V67603S133PF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存4,122
IDT71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存5,130
IDT71V67603S133PFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 4.2ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存4,464
IDT71V67603S150PF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存5,544
IDT71V67603S150PF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存5,544
IDT71V67603S150PFI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存7,740
IDT71V67603S150PFI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 150MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存2,214
IDT71V67603S166PF IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存4,968
IDT71V67603S166PF8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 9Mb (256K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 166MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 3.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存2,124

IDT71V67602S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,642

IDT71V67602S150BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存4,320

IDT71V67602S150BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,678

IDT71V67602S150BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存7,614

IDT71V67602S150PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存8,514

IDT71V67602S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存3,978

IDT71V67602S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存7,848

IDT71V67602S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存2,736

IDT71V67602S166BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 119-BGA
供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

庫存5,868

IDT71V67602S166BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 119-BGA
供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

庫存2,430

IDT71V67602S166BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存3,168

IDT71V67602S166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,660

IDT71V67602S166BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存3,580

IDT71V67602S166BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存4,518

IDT71V67602S166BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,012

IDT71V67602S166BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存4,122

IDT71V67602S166BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存8,496

IDT71V67602S166BQI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存8,910

IDT71V67602S166PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存8,838

IDT71V67602S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存7,524

IDT71V67603S133PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存8,190

IDT71V67603S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存4,122

IDT71V67603S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存5,130

IDT71V67603S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 133MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 4.2ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存4,464

IDT71V67603S150PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存5,544

IDT71V67603S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存5,544

IDT71V67603S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存7,740

IDT71V67603S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 150MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存2,214

IDT71V67603S166PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存4,968

IDT71V67603S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 9Mb (256K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 166MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 3.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存2,124

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