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IDT709199L7PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (128K x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709199L9PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (128K x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709199L9PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (128K x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709199L9PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (128K x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709199L9PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (128K x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L12PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L12PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L7PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L7PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.5ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L9PF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L9PF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L9PFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT709389L9PFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 9ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT70P27L12PFG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 512Kb (32K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 12ns
• 訪問時間: 12ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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IDT70P3307S233RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3307S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3307S250RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 18Mb (1M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3337S233RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3337S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3337S250RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 9Mb (512K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3517S233RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3517S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3517S250RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3519S166BFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 9Mb (256K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-FPBGA (15x15)

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IDT70P3537S233RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3537S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 233MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.2ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70P3537S250RM

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 576-BBGA, FCBGA
• 供應商設備包裝: 576-FCBGA (25x25)

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IDT70T3319S133DD

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 144TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LQFP Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 144-TQFP (20x20)

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IDT70T3319S133DDI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 144TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LQFP Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 144-TQFP (20x20)

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IDT70T3319S166DD

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 144TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 2.4V ~ 2.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-LQFP Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 144-TQFP (20x20)

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