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型號	描述	庫存
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存3,024
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存7,434
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,544
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存8,172
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存7,308
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存2,484
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存8,514
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,346
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存4,770
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存3,150
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存6,786
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存6,264
MT53D384M32D2DS-053 WT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存8,712
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存8,100
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,436
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存4,140
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存8,568
MT53D384M32D2DS-053 XT:C Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存2,034
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存2,556
MT53D384M32D2DS-053 XT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存2,034
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 12G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 12Gb (384M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,310
MT53D384M64D4FL-046 XT:E Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,778
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,560
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,506
MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,586
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (384M x 64) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,240
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (384M x 64) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,832
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (384M x 64) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,664
MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (384M x 64) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,220
MT53D384M64D4NY-046 XT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 24Gb (384M x 64) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,366

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