內存IC

型號	描述	庫存
MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存2,250
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存3,888
MT47H64M16HR-3 L:G TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存2,682
MT47H64M16HR-3 L:H TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存4,572
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存8,118
MT47H64M16HW-3 IT:H Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存413
MT47H64M16NF-187E:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 350ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存2,736
MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存5,004
MT47H64M16NF-25E AAT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存2,988
MT47H64M16NF-25E AIT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存7,434
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存3,456
MT47H64M16NF-25E AUT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存7,038
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存3,526
MT47H64M16NF-25E IT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存8,010
MT47H64M16NF-25E IT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存4,284
MT47H64M16NF-25E:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存17,745
MT47H64M16NF-25E:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存6,300
MT47H64M16NF-25E XIT:M Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存5,958
MT47H64M16NF-25E XIT:M TR Micron Technology Inc.	內存 IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 1Gb (64M x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 84-TFBGA 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)	庫存8,604
MT47H64M16U88BWC1 Micron Technology Inc.	內存 DDR2 1G DIE 64MX16 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,910
MT47H64M4BP-37E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 256Mb (64M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 500ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)	庫存6,012
MT47H64M4BP-37E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 256Mb (64M x 4) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 500ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)	庫存3,436
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存5,148
MT47H64M8B6-25E:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存5,148
MT47H64M8B6-25E IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存5,976
MT47H64M8B6-25E L:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 400ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存3,400
MT47H64M8B6-37E:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 500ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存7,614
MT47H64M8B6-37E IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 267MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 500ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存8,946
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存8,262
MT47H64M8B6-3 IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - DDR2 內存大小: 512Mb (64M x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: 15ns 訪問時間: 450ps 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 60-FBGA 供應商設備包裝: 60-FBGA	庫存8,604

MT47H64M16HR-3 IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存2,250

MT47H64M16HR-3 L:G

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存3,888

MT47H64M16HR-3 L:G TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存2,682

MT47H64M16HR-3 L:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存4,572

MT47H64M16HW-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存8,118

MT47H64M16HW-3 IT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存413

MT47H64M16NF-187E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 350ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存2,736

MT47H64M16NF-25E AAT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存5,004

MT47H64M16NF-25E AAT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存2,988

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存7,434

MT47H64M16NF-25E AIT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存3,456

MT47H64M16NF-25E AUT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存7,038

MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存3,526

MT47H64M16NF-25E IT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存8,010

MT47H64M16NF-25E IT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存4,284

MT47H64M16NF-25E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存17,745

MT47H64M16NF-25E:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存6,300

MT47H64M16NF-25E XIT:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存5,958

MT47H64M16NF-25E XIT:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: Automotive, AEC-Q100
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 1Gb (64M x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 84-TFBGA
供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)

庫存8,604

MT47H64M16U88BWC1

Micron Technology Inc.

內存

DDR2 1G DIE 64MX16

制造商: Micron Technology Inc.
系列: *
內存類型: -
內存格式: -
技術: -
內存大小: -
內存接口: -
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,910

MT47H64M4BP-37E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 256Mb (64M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 500ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)

庫存6,012

MT47H64M4BP-37E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 256Mb (64M x 4)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 500ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)

庫存3,436

MT47H64M8B6-25:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存5,148

MT47H64M8B6-25E:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存5,148

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存5,976

MT47H64M8B6-25E L:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 400ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存3,400

MT47H64M8B6-37E:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 500ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存7,614

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 267MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 500ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存8,946

MT47H64M8B6-3:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存8,262

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: SDRAM - DDR2
內存大小: 512Mb (64M x 8)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 333MHz
寫周期-字，頁: 15ns
訪問時間: 450ps
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 60-FBGA
供應商設備包裝: 60-FBGA

庫存8,604

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