內存IC

MR4A08BYS35

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (2M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP2

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MR4A08BYS35R

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (2M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP2

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MR4A16BCMA35

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-FBGA (8x8)

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MR4A16BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-FBGA (10x10)

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MR4A16BCYS35

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP2

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MR4A16BCYS35R

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP2

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MR4A16BMA35

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-FBGA (10x10)

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MR4A16BMA35R

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-FBGA (10x10)

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MR4A16BYS35

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP2

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MR4A16BYS35R

Everspin Technologies Inc.

內存

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

• 制造商: Everspin Technologies Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: RAM
• 技術: MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 54-TSOP2

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MSM5117400F-60J3-7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 110ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5117400F-60J3FAR1

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 110ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5117400F-60T3DR1

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 110ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5117400F-60T3-K-7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL KBU

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 110ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 26-SMD
• 供應商設備包裝: KBU

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MSM5117400F-60TDR1L

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 110ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5117405F-60J3-7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5117405F-60T-DKX

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5118160F-60J3-7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5118160F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM5118165F-60J3-7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 42-SOJ

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MSM5118165F-60T3K-MT

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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MSM51V17400F-60TDKX

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 110ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 26-TSOP

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MSM51V17405F-60T3-K

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 26TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (4M x 4)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 104ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 26-TSOP

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MSM51V18160F-60T3-K7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSM51V18165F-60J3-7

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 104ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 42-SOJ

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MSM51V18165F-60T3

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 104ns
• 訪問時間: 30ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• 供應商設備包裝: 50-TSOP

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MSM5412222B-25TK-MTL

Rohm Semiconductor

內存

IC FRAM 3M PARALLEL 44TSOP

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FRAM
• 技術: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 內存大小: 3Mb (256K x 12)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 23ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 44-TSOP

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MSM56V16160K8T3K

Rohm Semiconductor

內存

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 16Mb (512K x 16 x 2)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 125MHz
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 供應商設備包裝: 50-TSOP II

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MSP14LV160-E1-GJ-001

Cypress Semiconductor

內存

IC MEMORY FLASH NOR

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MSP14LV160-E1-GK-001

Cypress Semiconductor

內存

IC MEMORY FLASH NOR

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: *
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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