二極管與整流器

1N5620GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 20pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5620US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, A
• 供應商設備包裝: D-5A
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N5621

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 20pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: A, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5621

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 18pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: Axial
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5621GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 25pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5621GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 25pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5621GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 25pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5621US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 20pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, A
• 供應商設備包裝: D-5A
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5622

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 23pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: Axial
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5622

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: A, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N5622C.TR

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Avalanche
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 23pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: Axial
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5622GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5622GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5622US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, A
• 供應商設備包裝: D-5A
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N5623

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 2A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 500ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 18pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: Axial
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5623

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 500ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: A, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5623GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 500ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 25pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5623GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 500ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 25pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5623US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 500ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 1000V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 12V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, A
• 供應商設備包裝: D-5A
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5624GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 3µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 40pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5624GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: *
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -

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1N5624GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 3µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 40pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5624-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Avalanche
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 7.5µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SOD-64, Axial
• 供應商設備包裝: SOD-64
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5624-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Avalanche
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 7.5µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SOD-64, Axial
• 供應商設備包裝: SOD-64
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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1N5625GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 5µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 40pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5625GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: *
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -

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1N5625GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 3µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 40pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5625-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Avalanche
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 7.5µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SOD-64, Axial
• 供應商設備包裝: SOD-64
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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1N5625-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Avalanche
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 3µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SOD-64, Axial
• 供應商設備包裝: SOD-64
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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1N5626GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 3µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: 40pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-201AD, Axial
• 供應商設備包裝: DO-201AD
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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