二極管與整流器

1N4305-1E3

Microsemi

整流器-單

DIODE SWITCHING DO-35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 850mV @ 10mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 2ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35 (DO-204AH)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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1N4305_T50R

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 300mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 850mV @ 10mA
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 50V
• 電容@ Vr，F: 2pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4305TR

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 300mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 850mV @ 10mA
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 50V
• 電容@ Vr，F: 2pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4383GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4383GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4384GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4384GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4384GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4384GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4385GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4385GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: SUPERECTIFIER®
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 600V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AC, DO-15, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AC (DO-15)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4444-1

Microsemi

整流器-單

DIODE SWITCHING

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -

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1N4446

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4446

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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1N4446 BK

Central Semiconductor Corp

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 150mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N4446_T50R

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4446 TR

Central Semiconductor Corp

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 150mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N4446TR

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4447

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 20mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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1N4447

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4447TR

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: 175°C (Max)

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1N4448

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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1N4448

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 75V
• 電容@ Vr，F: 2pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4448,113

NXP

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: ALF2
• 工作溫度-結點: 200°C (Max)

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1N4448,133

Nexperia

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: ALF2
• 工作溫度-結點: 200°C (Max)

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1N4448,143

NXP

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: ALF2
• 工作溫度-結點: 200°C (Max)

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1N4448-A

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 500mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 10mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 75V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N4448 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 150mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 720mV @ 5mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 75V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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1N4448 BK

Central Semiconductor Corp

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 150mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 720mV @ 5mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N4448HLP-7

Diodes Incorporated

整流器-單

DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 80V
• 電流-平均整流（Io）: 125mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 100mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 80V
• 電容@ Vr，F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 0402 (1006 Metric)
• 供應商設備包裝: X1-DFN1006-2
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

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