二極管與整流器

MURTA400120

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.6V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA400120R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.6V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA40020

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA40020R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA40040

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 400V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA40040R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 400V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA40060

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA40060R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 200A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 200A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 600V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA500120

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 250A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.6V @ 250A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA500120R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 250A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.6V @ 250A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA50020

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 500A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 250A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA50020R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 500A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 250A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA50040

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 500A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 250A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA50040R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 500A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 250A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA50060

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 500A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 250A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 250ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA50060R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 500A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 250A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 250ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA600120

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 300A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.6V @ 300A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA600120R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 300A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.6V @ 300A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA60020

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 600A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 300A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA60020R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 600A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 300A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA60040

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 600A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 300A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 220ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA60040R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 600A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 300A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 220ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA60060

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Cathode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 600A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 300A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 280ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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MURTA60060R

GeneSiC Semiconductor

整流器-數組

DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Common Anode
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 600A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 300A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 280ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25µA @ 50V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Three Tower
• 供應商設備包裝: Three Tower

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ND104N08KHPSA1

Infineon Technologies

整流器-數組

DIODE MOD POWERBLOCK PB20-1

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 二極管配置: -
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ND175N34KHPSA1

Infineon Technologies

整流器-數組

DIODE MOD POWERBLOCK PB50ND-1

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 二極管配置: -
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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ND410635

Powerex Inc.

整流器-數組

DIODE MODULE DUAL

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Series Connection
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 350A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1000A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 10µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 30mA @ 600V
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: POW-R-BLOK™ Module
• 供應商設備包裝: POW-R-BLOK™ Module

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ND410826

Powerex Inc.

整流器-數組

DIODE MODULE 800V 260A POWRBLOK

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Series Connection
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 260A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.35V @ 1500A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50mA @ 800V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: POW-R-BLOK™ Module
• 供應商設備包裝: POW-R-BLOK™ Module

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ND410835

Powerex Inc.

整流器-數組

DIODE MODULE DUAL

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Series Connection
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 350A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 1000A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 10µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 30mA @ 800V
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: POW-R-BLOK™ Module
• 供應商設備包裝: POW-R-BLOK™ Module

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ND411226

Powerex Inc.

整流器-數組

DIODE MODULE 1.2KV 260A POWRBLOK

• 制造商: Powerex Inc.
• 系列: -
• 二極管配置: 1 Pair Series Connection
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）（每個二極管）: 260A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.35V @ 1500A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50mA @ 1200V
• 工作溫度-結點: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: POW-R-BLOK™ Module
• 供應商設備包裝: POW-R-BLOK™ Module

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