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ZXTP05120HFFTA

ZXTP05120HFFTA

僅供參考

型號 ZXTP05120HFFTA
PNEDA編號 ZXTP05120HFFTA
描述 TRANS PNP DARL 120V 1A SOT23F-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 348,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTP05120HFFTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTP05120HFFTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTP05120HFFTA, ZXTP05120HFFTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 376.55 KB)
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ZXTP05120HFFTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 2mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce3000 @ 1A, 5V
功率-最大1.5W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-3 Flat Leads
供應商設備包裝SOT-23F

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 10mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

3-SIP

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

330mW

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