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ZXTDB2M832TA

ZXTDB2M832TA

僅供參考

型號 ZXTDB2M832TA
PNEDA編號 ZXTDB2M832TA
描述 TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTDB2M832TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTDB2M832TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXTDB2M832TA, ZXTDB2M832TA數據表 (總頁數: 8, 大小: 264.29 KB)
PDFZXTDB2M832TA數據表 封面
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ZXTDB2M832TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A, 3.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)25nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
功率-最大1.7W
頻率-過渡140MHz, 180MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-MLP (3x2)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz, 250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1A, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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