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ZXT10N50DE6TA

ZXT10N50DE6TA

僅供參考

型號 ZXT10N50DE6TA
PNEDA編號 ZXT10N50DE6TA
描述 TRANS NPN 50V 3A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 29,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT10N50DE6TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT10N50DE6TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT10N50DE6TA, ZXT10N50DE6TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 350.17 KB)
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ZXT10N50DE6TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡165MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-23-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 2A, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10A, 3V

功率-最大

6W

頻率-過渡

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