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ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN3A04DN8TA
PNEDA編號 ZXMN3A04DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 13,350
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 29 - 七月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3A04DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3A04DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN3A04DN8TA, ZXMN3A04DN8TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 188.9 KB)
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ZXMN3A04DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1890pF @ 15V
功率-最大1.81W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1560pF @ 25V

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

47pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

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