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ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

僅供參考

型號 ZXMC4A16DN8TC
PNEDA編號 ZXMC4A16DN8TC
描述 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMC4A16DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMC4A16DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMC4A16DN8TC, ZXMC4A16DN8TC數據表 (總頁數: 10, 大小: 187.17 KB)
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ZXMC4A16DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250mA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
功率-最大2.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 15V

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

434nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19600pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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