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ZTX853STOA

ZTX853STOA

僅供參考

型號 ZTX853STOA
PNEDA編號 ZTX853STOA
描述 TRANS NPN 100V 4A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX853STOA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX853STOA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX853STOA, ZTX853STOA數據表 (總頁數: 3, 大小: 66.33 KB)
PDFZTX853STOB數據表 封面
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ZTX853STOA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V
功率-最大1.2W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2.5A, 5V

功率-最大

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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