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W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

僅供參考

型號 W987D2HBJX6I
PNEDA編號 W987D2HBJX6I
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 2 - 六月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W987D2HBJX6I資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W987D2HBJX6I
類別半導體內存IC內存
數據表
W987D2HBJX6I, W987D2HBJX6I數據表 (總頁數: 68, 大小: 1,470.3 KB)
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W987D2HBJX6I規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存接口

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

120ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

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