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W632GU8MB-12 TR

W632GU8MB-12 TR

僅供參考

型號 W632GU8MB-12 TR
PNEDA編號 W632GU8MB-12-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GU8MB-12 TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GU8MB-12 TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GU8MB-12 TR, W632GU8MB-12 TR數據表 (總頁數: 161, 大小: 5,498.2 KB)
PDFW632GU8MB15I數據表 封面
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W632GU8MB-12 TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-VFBGA (8x10.5)

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Renesas Electronics America

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

144Mb (4M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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165-FBGA (15x17)

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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70ns

訪問時間

70ns

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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