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W632GG8KB-11 TR

W632GG8KB-11 TR

僅供參考

型號 W632GG8KB-11 TR
PNEDA編號 W632GG8KB-11-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GG8KB-11 TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GG8KB-11 TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GG8KB-11 TR, W632GG8KB-11 TR數據表 (總頁數: 159, 大小: 5,237.38 KB)
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W632GG8KB-11 TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-WBGA (10.5x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存大小

1.125Gb (64Mb x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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