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W29N01HVBINF

W29N01HVBINF

僅供參考

型號 W29N01HVBINF
PNEDA編號 W29N01HVBINF
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W29N01HVBINF資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W29N01HVBINF
類別半導體內存IC內存
數據表
W29N01HVBINF, W29N01HVBINF數據表 (總頁數: 54, 大小: 1,522.93 KB)
PDFW29N01HVBINF數據表 封面
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W29N01HVBINF規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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寫周期-字,頁

5ms

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工作溫度

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