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W25M02GVTBIT TR

W25M02GVTBIT TR

僅供參考

型號 W25M02GVTBIT TR
PNEDA編號 W25M02GVTBIT-TR
描述 IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25M02GVTBIT TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25M02GVTBIT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W25M02GVTBIT TR, W25M02GVTBIT TR數據表 (總頁數: 71, 大小: 1,084.11 KB)
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W25M02GVTBIT TR規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁700µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TFBGA (6x8)

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-TFBGA (6x8)

AT24C16C-PUM

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-SSOP

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

16Gb (2G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

153-VFBGA

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