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VSB20L45-M3/54

VSB20L45-M3/54

僅供參考

型號 VSB20L45-M3/54
PNEDA編號 VSB20L45-M3-54
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VSB20L45-M3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VSB20L45-M3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VSB20L45-M3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)7.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果390mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 45V
電容@ Vr,F2470pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱P600, Axial
供應商設備包裝P600
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 400V

電容@ Vr,F

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