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VS-SD800C45L

VS-SD800C45L

僅供參考

型號 VS-SD800C45L
PNEDA編號 VS-SD800C45L
描述 DIODE GP 4.5KV 1065A DO200AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD800C45L資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD800C45L
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-SD800C45L, VS-SD800C45L數據表 (總頁數: 8, 大小: 193.63 KB)
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VS-SD800C45L規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)4500V
電流-平均整流(Io)1065A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.95V @ 2000A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50mA @ 4500V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝DO-200AB, B-PUK
工作溫度-結點-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

12ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

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