VS-GB200TH120N
僅供參考
| 型號 | VS-GB200TH120N |
| PNEDA編號 | VS-GB200TH120N |
| 描述 | IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK |
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,646 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸) |
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VS-GB200TH120N資源
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | VS-GB200TH120N |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-模塊 |
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VS-GB200TH120N規格
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | - |
| 配置 | Half Bridge |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 1200V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 360A |
| 功率-最大 | 1136W |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
| 當前-集電極截止（最大值） | 5mA |
| 輸入電容（Cies）@ Vce | 14.9nF @ 25V |
| 輸入 | Standard |
| NTC熱敏電阻 | No |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| 供應商設備包裝 | Double INT-A-PAK |
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